Keramikkomponenten aus Bornitrid

Keramikkomponenten aus Bornitrid
Informationen:
Aus Bornitrid-Präzisionskeramikkomponenten können Bornitrid-Ersatzteile für Ionenimplantationsgeräte sowie Bornitrid-Isolierdichtungen und Dichtungen für Hochtemperaturgeräte hergestellt werden.
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Beschreibung
Technische Parameter

Aus Bornitrid-Präzisionskeramikkomponenten können Bornitrid-Ersatzteile für Ionenimplantationsgeräte, Bornitrid-Isolierdichtungen und -versiegelungen für Hochtemperaturgeräte, Bornitrid-Teile für Vakuumbeschichtungsgeräte (als Ersatz für Aluminiumoxid) und Zerstäubungsdüsen für die Pulvermetallurgie, Halbleiter, Mikroelektronik und andere Geräteteile, Hochtemperatur-Flüssigkeitsfilter, Strahlenschutzkleidung, Hochtemperatur-Ofenauskleidungen und Isoliermaterialien hergestellt werden.

 

Bornitridplatten werden im international fortschrittlichen Heißpress-Sinterverfahren ohne Zusatz von Sinterhilfsmitteln hergestellt. Sie zeichnen sich durch hohe Initialisierung, gute Stabilität, hohe Dichte, niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten, gute Wärmeleitfähigkeit und Isoliereigenschaften aus und können als Ionenimplantierer verwendet werden. Ersatzteile für Bornitrid-Geräte, Isolierdichtungen und -versiegelungen aus Bornitrid für Hochtemperaturgeräte, Bornitrid-Teile (Ersatzteile) für Vakuumbeschichtungsgeräte, Zerstäubungsdüsen für die Pulvermetallurgie, Halbleiter, Mikroelektronik und andere Geräteteile. Bornitridfasern können als Hochtemperatur-Flüssigkeitsfilter, Strahlenschutzkleidung, Hochtemperatur-Ofenauskleidungen und Isoliermaterialien verwendet werden. Dank ihrer hervorragenden Verarbeitungsleistung können sie mit einer Genauigkeit von 0,01 mm präzise verarbeitet werden, was sie zu einer der besten Optionen für die Anpassung von Präzisionskeramikkomponenten macht.

 

Bornitrid-Keramikkomponenten Index

 

Material

Bornitrid

Dichte

>2,05 g/cm³

Sauerstoffgehalt

0.4664%

Porositätsrate

>150 MPa

Wärmeausdehnungskoeffizient (25 Grad -1200 Grad )

-1-2.5*10-6/K

Biegefestigkeit

>35 MPa

MAXIMALE EINSATZTEMPERATUR

900 Grad -2300 Grad

Wärmeleitfähigkeit (25 Grad)

50W/mk

Spezifischer Widerstand

>10Ω.cm

 

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